电子级氢氟酸主要用于集成电路，随着微电子行业的发展其对性能要求不断提高，相应的检测技术也得到很快的提升。

　　1.金属杂质检测技术

　　金属离子杂质会影响半导体中少子的寿命表面的导电性、门氧化物的完整性和稳定性参数等。金属离子杂质在高温下或电场下会向半导体本体扩散或在表面扩大分布导致半导体性能下降。微电子行业对金属离子含量的要求越来越高,从原来的10-6级发展到10-9级和10-12级，未来还会更高。例如762px(12英寸)晶圆蚀刻工艺中需要的电子级氢氟酸金属元素质量分数稳定在10x10~12左右。相应地金属离子的分析测试手段也不断推陈出新,目前常用的金属痕量元素的测试方法主要有发射光谱法、原子吸收分光光度法、火焰发射光谱法、石墨炉原子吸收光谱等离子发射光谱法(ICP).电感耦合等离子体-质谱(ICP-MS)法等其中ICP-MS法更是成为金属杂质分析测试的重要方法。

　　2.颗粒检测技术

　　颗粒主要依靠范德瓦尔斯吸引力吸附在晶圆表面影响器件光刻所需几何图形的形成及电学参数。随着IC技术的不断提高,颗粒的粒径要求越来越小，杂质含量也要求越来越少。

　　颗粒检测技术从早期的显微镜法、库尔特法、光阻挡法发展到现在的激光散射法。近几年激光粒度测试技术得到了高速发展，具有测试速度快、分辨率高、重复性好的特点。

　　随着技术的发展，人们早已不止步于离线分析(取样后在实验室进行分析)进而推动了在线检测分析的高速发展。但是在线检测电子级氢氟酸须解决夹带气泡的干扰问题，凡是气泡在检测器内均可被作为颗粒而记录下来，从而影响实际检测结果的准确性。样品中溶解的气体、振荡或搅拌产生的气泡高温样品挥发产生的气泡及管线密闭不严而引起的气泡等是气泡的主要来源。目前在线进行颗粒检测采用间断在线取样，在加压状态进样较好地解决了气泡的干扰问题。