工业级40％氢氟酸金属离子杂质会影响栅氧化层的少子寿命、表面电导率、完整性和稳定性参数。在高温或电场作用下，金属离子杂质会扩散到半导体体上或扩大其在表面的分布，导致半导体性能的下降。未来电子级氢氟酸对金属离子含量的要求越来越高。因此，金属离子的分析和测试方法也在不断进步。目前，测定金属中微量元素的常用方法包括发射光谱法、原子吸收光谱法、火焰发射光谱法、石墨炉原子吸收光谱法、等离子体发射光谱法（ICP）、电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）等，该法已成为金属中痕量元素的分析方法电子级氢氟酸中金属杂质分析和测试的主要方法。

　　工业级40％氢氟酸粒子检测技术

　　粒子主要通过范德华引力吸附在晶圆表面，影响光刻所需的几何参数和电学参数的形成。随着集成电路技术的不断进步，对颗粒尺寸的要求越来越高

　　体积小，杂质含量要求也越来越少。粒子检测技术从早期的显微法、库尔特法、光阻挡法发展到现在的激光的光散射法。近年来，激光粒度测量技术发展速度，具有测试速度快、分辨率高、重复性好等特点。

　　工业级40％氢氟酸随着技术的发展，人们对离线分析（实验室采样分析）的不满意，利于在线检测分析的快速发展。然而，在线检测解决气泡夹带的干涉问题，探测器中的气泡都可以记录为一个粒子，从而影响实际检测结果的准确性。气泡的主要来源是样品中的溶解气体、振荡或搅拌产生的气泡、高温样品挥发产生的气泡和管道密封不严产生的气泡。目前，颗粒物的在线检测主要采用间歇式在线采样和加压注射的方法，解决了气泡干扰问题。